Samsung обещает память нового поколения в июне

Samsung объявила о начале поставок новой волны микросхем памяти RAM на основе фазового перехода (PRAM) в июне, о чем сообщает electronista.com.

В настоящее время чип PRAM обладает емкостью в 512 Мб и сочетает в себе преимущества NAND и NOR флэш-памяти: произвольная скорость памяти NOR наряду с возможностью долговременного сохранения данных подобно NAND. По оценкам Samsung новая технология позволяет обрабатывать данные до 30 раз быстрее, чем при использовании традиционной RAM в комбинации с постоянной памятью.

Эта технология основана на свойствах халькогенидного стекла быстро переходить в кристаллическую или неопределенную форму, что позволяет работать быстрее, сохраняя при этом последнюю структуру памяти перед выключением системы.

Компания не назвала возможных клиентов для своего нового продукта и где будет использована новая технология. Однако, потенциально PRAM может стать серьезным преимуществом для мобильных устройств с недостатком места для оперативной памяти и постоянной.

Марина Березина