Корпорация Intel и компания Numonyx совместно разрабатывают новую технологию создания Phase Change Memory (PCM) – нового типа энергонезависимой памяти с возможностью создания многослойных массивов на одном кристалле.
Это позволит создавать высокоскоростные системы хранения данных и память со случайным доступом, которые будут иметь больший объем для хранения данных, меньше потреблять энергии и обладать миниатюрными размерами, сообщает пресс-служба Intel.
При формировании многослойной памяти возможность накладывать слои PCM-ячеек друг на друга позволяет увеличивать плотность хранения информации, сохраняя при этом характеристики однослойной памяти.
Более подробная информация будет представлена на конференции International Electron Devices Meeting 2009 в Балтиморе 9 декабря.
Автор – Вася Сетевой
