Компания IBM объявила о создании первого в мире чипа, построенного по 2-нм техпроцессу. Новые чипы будут на 45 % энергоэффективнее старых поколений и на 75 % мощнее при одинаковом энергопотреблении.
Издание AnandTech отмечает, что хотя новый 2-нм чип IBM по реальным размерам транзистора не сильно опережает 3-нм техпроцесс от TSMC, транзисторы IBM уже построены на принципиально новой архитектуре.
Что представила IBM
Как заявили в IBM, новый чип сможет обеспечивать на 45% более высокую производительность или на 75% более низкое энергопотребление, чем самые современные 7-нм чипы.
Увеличение количества транзисторов на микросхему может сделать их меньше, быстрее, надежнее и эффективнее. Уплотнение транзисторов также улучшит производительность в сфере облачных вычислений, искусственного интеллекта и аппаратного шифрования и безопасности.
На чипе скорее всего нет реально 2-нм транзисторов
Как отмечает AnandTech, в последние годы показатель техпроцесса в нанометрах стал скорее маркетинговым ходом, чем реальным определением размера транзисторов на чипе.
И несмотря на заявление IBM о первом 2-нм чипе, скорее всего на нем нет элементов реально соответствующих физическим размерам 2 нм. Это заметно сравнительной таблице плотности транзисторов на разных техпроцессах.
Но несмотря на отсутствие 2-нм объектов, чип все же можно считать прорывным, ведь IBM использовала в нем новую архитектуру построения транзисторов, которая делает возможным покорение нового техпроцесса.
Эта архитектура называется Gate-All-Around и позволяет минимизировать нежелательные физические явления (например эффект перетекания тока) которые неизбежно появляются на таком малом размере транзисторов.
Почему это важно
Последние десятилетия технологические компании уменьшали техпроцесс своих чипов каждые несколько лет, тем самым улучшая энергоэффективность и производительность своих чипов.
Однако уплотнение транзисторов не может продолжаться вечно из-за ограничений физических процессов в них. Более того, каждый новый техпроцесс дается компаниям все сложнее, а процент брака при производстве новых чипов только увеличивается.
Создание 2-нанометровой технологии изготовления чипов показывает, что такая плотность транзисторов вообще возможна, и другие производители будут стремиться ее повторить.
